收藏本站
型号 IPD30N10S3L-34
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
IPD30N10S3L-34 PDF
代理商 IPD30N10S3L-34
产品目录绘图 Mosfets TO-252-3-11, TO-252-3
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 30A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 31 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.4V @ 29µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1976pF @ 25V
功率 - 最大 57W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPD30N10S3L-34DKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
IPD30N10S3L-34 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
IPD30N10S3L-34 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
IPD320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
IPD320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
IPD320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
IPD33CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
IPD350N06L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
IPD35N10S3L-26 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IPD400N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
IPD400N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
IPD400N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
IPD49CN10N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
IPD50N03S2-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD50N03S2L-06 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IPD50N04S3-08 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD50N04S3-08 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD50N04S3-08 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD50N04S3-09 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD50N04S4-08 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
IPD50N04S4-10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313